黄春红

作品数：4被引量：5H指数：1
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供职机构：天津工业大学电子信息与工程学院更多>>
发文主题：标准CMOS工艺硅发光器件LEDN更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《发光学报》《微纳电子技术》《光电子．激光》更多>>
所获基金：国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
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标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备被引量：1
《光电子．激光》2010年第5期644-646,共3页杨广华 毛陆虹 黄春红 王伟 郭维廉 
国家自然科学基金资助课题(60536030,60676038);天津市基础研究重点项目(06YFJZJC00200,08JCZDJC24100)
采用新加坡半导体制备有限公司的0.35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+叉指结构形成U型器件,外部的两个P+区为保护环,在相邻的内部两个P+区之间使用多晶硅作为...
关键词：硅 发光器件 CMOS标准工艺 
条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析被引量：4
《发光学报》2010年第3期369-372,共4页杨广华 毛陆虹 黄春红 王伟 郭维廉 
国家自然科学基金(60536030;60676038);天津市基础研究重点项目(06YFJZJC00200;08JCZDJC24100)资助项目
采用0.35μm双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型SiLED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成Sipn结LED。观察了SiLED发光显微图形及实际器件的版图,并在对器件进行了正、反向I-V特性测试、光功...
关键词：硅 发光器件 标准CMOS工艺 
标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析
《半导体技术》2009年第5期411-413,422,共4页杨广华 毛陆虹 王伟 黄春红 郭维廉 
国家自然科学基金资助课题(60536030,60706015);天津市应用基础及前沿技术研究计划重点项目(06YFJZJC00200,08JCZDJC24100)
描述了用于制备SiLED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素。介绍了采用新加坡Charter公司的0.35μm标准CMOS工艺最新设计和制备的U型SiLED发光器件,设计和制备此U型器件主要目的...
关键词：硅发光二极管 CMOS标准工艺 侧面发光 辐射亮度 发光峰值 
基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件
《微纳电子技术》2008年第10期615-618,共4页黄春红 牛萍娟 杨广华 王伟 
国家自然科学重点基金项目(NSFC-60536030)
基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75V,反向击穿电压为8.4V,能够在一个较宽的电压范围(8.4～12V)内稳定工作。...
关键词：互补金属氧化物半导体工艺 Si基光发射器件 边缘发光 光电集成电路 光互连 
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