云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 硅发光二极管

硅发光二极管: 作品数：10被引量：9H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陈弘达刘海军黄北举王伟杨广华更多>>; 相关机构：中国科学院天津大学天津工业大学更多>>; 相关期刊：《Engineering》《激光与光电子学进展》《光机电信息》《Optoelectronics Letters》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>

Future Technologies and Applications of Ⅲ-Nitride Materials and Devices被引量：5: 《Engineering》2015年第2期161-161,共1页Shuji Nakamura; Ⅲ-nitride light-emitting diodes(LEDs)are now used almost everywhere,due to their energy-saving capability.In the near future,the vast majority of lighting sources will undoubtedly be based on LEDs.What future technol...; 关键词：氮化硅材料应用技术硅发光二极管器件照明光源 LED GAN

Design and fabrication of Si LED with the N-well-P^+ junction based on standard CMOS technology被引量：4: 《Optoelectronics Letters》2010年第1期15-17,共3页杨广华毛陆虹黄春红王伟郭维廉; supported by the National Natural Science Foundation of China (Nos.60536030,60676038);the Key Project of Tianjin (No.06YFJZJC00200); A wedge shape Si LED is designed and fabricated with 0.35 μm double-grating standard CMOS technology. The device structure is based on the N-well-P+ junction. The P+ has a wedge shape and is surrounded by the N-well....; 关键词：硅发光二极管 CMOS技术标准设计制造微米技术显微照片光谱测试

标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析: 《半导体技术》2009年第5期411-413,422,共4页杨广华毛陆虹王伟黄春红郭维廉; 国家自然科学基金资助课题(60536030,60706015);天津市应用基础及前沿技术研究计划重点项目(06YFJZJC00200,08JCZDJC24100); 描述了用于制备SiLED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素。介绍了采用新加坡Charter公司的0.35μm标准CMOS工艺最新设计和制备的U型SiLED发光器件,设计和制备此U型器件主要目的...; 关键词：硅发光二极管 CMOS标准工艺侧面发光辐射亮度发光峰值

NEC新型硅二极管高速实现光电转换: 《光机电信息》2007年第10期68-68,共1页; NEC开发成功了可将光信号高速转换为电信号的硅发光二极管，并在“国际纳米综合展·技术会议（nanotech2005）”上展出。通过采用硅材料生产，不仅可以减小光通信系统的体积、实现低成本，而且将来还有望在LSI内部的光布线中使用。; 关键词：硅二极管 NEC 光电转换硅发光二极管光通信系统技术会议材料生产电信号

能实现光电高速转换的硅二极管研制成功: 《中小企业科技》2005年第5期10-10,共1页; 一般情况下，硅发光二极管与InP(磷化铟)等制成的化合物半导体相比，光吸收率及载流子迁移率较低，因此很难提高灵敏度。而此次通过在传感器上部设置银制天线，利用表面等离子体谐振现象生成了很强的近场光，从而解决了这一问题。另外...; 关键词：研制成功硅二极管高速转化合物半导体光电硅发光二极管载流子迁移率表面等离子体光吸收率高灵敏度谐振现象寄生电容寄生电阻高速特性磷化铟 InP 传感器近场光天线元件

高效率的硅发光二极管: 《光机电信息》2003年第8期44-44,共1页; 关键词：硅发光二极管效率意大利ST Microelectronics公司研制

硅以后的生活——电脑今后向何处去?: 《厦门科技》2002年第5期14-16,共3页尹宏毅; 虽然事实上您今天买到的电脑明天就会过时,这一趋势却并不是什么新鲜的事情.早在1965年,后来创建了英特尔公司的戈登·穆尔就预言,电路板上的晶体管的数量在1975年以前将每18个月增加一倍.这一惊人预测直到今天仍是正确的.; 关键词：电脑发展方向硅发光二极管脱氧核糖核酸

硅发光二极管: 《光机电信息》2002年第10期44-44,共1页; 英国萨里大学的科学家使用硅材料制造出能在室温下有效发光的二极管。在此基础上,科学家有望将发光装置有效地集成到超大规模集成电路中,制造出体积更小、功能更强大的芯片,以及更高性能的通信设备。; 关键词：硅发光二极管环形移位离子注入

高效率硅发光二极管: 《激光与光电子学进展》2002年第9期48-52,共5页刘浪; 为发展高效率硅发光器件和硅基集成电路技术正付出很大努力^[1]。尽管研究了几种途径^[1-6]，最近都受到低发射效率的困扰，在0．01％－0．1％范围就是高值^[2]。本文报道的硅发光二极管功率转换效率有很大增长，在室温附近达到1％以上...; 关键词：高效率硅发光二极管

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