能实现光电高速转换的硅二极管研制成功  

出　　处：《中小企业科技》2005年第5期10-10,共1页

摘　　要：一般情况下，硅发光二极管与InP(磷化铟)等制成的化合物半导体相比，光吸收率及载流子迁移率较低，因此很难提高灵敏度。而此次通过在传感器上部设置银制天线，利用表面等离子体谐振现象生成了很强的近场光，从而解决了这一问题。另外，该产品通过大幅减小元件体积，降低了寄生电阻和寄生电容，从而实现了可与20GHz化合物半导体媲美的高速特性。

关 键 词：研制成功 硅二极管 高速转 化合物半导体 光电 硅发光二极管 载流子迁移率 表面等离子体 光吸收率 高灵敏度 谐振现象 寄生电容 寄生电阻 高速特性 磷化铟 InP 传感器 近场光 天线 元件 

分 类 号：TN315.2[电子电信—物理电子学]