互补型金属氧化物半导体

作品数：52被引量：56H指数：4
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相关作者：姚素英毛陆虹郭维廉虞小鹏蒋湘更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院微电子研究所东部电子股份有限公司中国科学院更多>>
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具有高稳定度的低压带隙基准源被引量：1
《微波学报》2020年第S01期246-249,共4页汪振民 杨光 
提出了一种采用0.18μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计的带隙基准源电路,该电路具有低压输出、高稳定度和高电源抑制比的特点。利用运算放大器的钳位功能,提高带隙基准源的稳定度。电路的仿真结果表明:常温时,基准电压输出为0.49...
关键词：互补型金属氧化物半导体 带隙基准源 电源抑制比 
微电容超声换能器的前端专用集成电路设计被引量：2
《半导体技术》2019年第4期251-256,共6页杜以恒 何常德 张文栋 
国家杰出青年科学基金项目(61525107);国家重点研发计划项目(2016YFC0105004);山西省"1331工程"重点学科建设计划
针对微电容超声换能器(CMUT)微弱电流信号检测的要求,设计了一种用于CMUT的前端专用集成电路——运算放大器(OPA)电路。运算放大器电路采用两级放大结构,第一级采用全差分折叠-共源共栅结构,输出级采用AB类控制的轨到轨输出级,在运算放...
关键词：专用集成电路(ASIC) 运算放大器(OPA) 微电容超声换能器(CMUT) 微弱电流信号 互补型金属氧化物半导体(CMOS) 
毫米波CMOS集成电路收发机前端研究进展
《固体电子学研究与进展》2016年第3期195-206,共12页余飞 李平 王春华 
国家自然科学基金资助项目(61504013);湖南省教育厅科研项目(15C0033)
对毫米波CMOS集成电路收发机前端技术进行了综述。介绍了毫米波CMOS集成电路收发机的研究背景,分别对毫米波CMOS集成电路收发机前端各个子模块进行了详细介绍和比较,并展望了毫米波CMOS集成电路的未来发展方向。
关键词：毫米波 互补型金属氧化物半导体 收发机前端 子模块 
基于标准CMOS工艺的抗辐射带隙基准电路设计被引量：1
《微处理机》2016年第3期13-16,共4页王鹏 
针对标准纳米CMOS工艺下实现的带隙基准电路抗辐射加固性能不高的问题,分析了带隙基准电路中采用的纵向衬底PNP三极管器件由于总剂量辐射效应引起基极漏电流增加、输出电压漂移的原因,探讨了采用栅氧化层隔离发射极的版图优化技术及动...
关键词：总剂量辐射 互补型金属氧化物半导体 带隙基准 三极管 基极漏电流 动态电流补偿 
X波段SiGe BiCMOS功率放大器设计
《半导体技术》2016年第5期353-356,共4页陈君涛 王绍权 廖余立 
采用0.13μm Si Ge双极互补型金属氧化物半导体（Bi CMOS）工艺,设计了一款X波段功率放大器芯片。通过采用共射共基放大器电路结构和有源线性化偏置电路,提高了电路耐压值和功放最大输出功率。通过两级共射共基放大电路级联,结合级间匹...
关键词：功率放大器 SiGe双极互补型金属氧化物半导体(BiCMOS) 线性化偏置电路 功率附加效率 结温 
用于数字相控阵雷达收发组件的0.7~4.0GHz SOI CMOS有源下混频器
《固体电子学研究与进展》2015年第2期145-149,160,共6页陈亮 陈新宇 张有涛 杨磊 
基于0.18μm SOI CMOS工艺设计了一款用于数字相控阵雷达的宽带有源下混频器。该混频器集成了射频、本振放大器、Gilbert混频电路、中频放大器以及ESD保护电路。该芯片可以直接差分输出,亦可经过片外balun合成单端信号后输出。射频和本...
关键词：绝缘体硅互补型金属氧化物半导体 有源混频器 宽带 
基于RC触发NMOS器件的ESD电路设计被引量：4
《半导体技术》2014年第8期579-583,共5页李志国 余天宇 张颖 孙磊 潘亮 
研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中...
关键词：互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺 电阻电容触发NMOS 静电放电(ESD)电路 传输线脉冲(TLP)测试 热效应 
带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源设计被引量：8
《半导体技术》2014年第1期14-18,共5页王永顺 井冰洁 
国家自然科学基金资助项目(61366006)
设计了一种带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源电路，通过在特定支路上产生二阶正温度系数的电流补偿‰．的二阶负温度系数项来实现曲率补偿，从而得到更低温度系数的基准电压。同时设计了一种高效的启动电路，在电路上电时保证电路正...
关键词：带隙基准电压源 曲率补偿 低温度系数 启动电路 互补型金属氧化物半导体 (CMOS) 
由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元
《固体电子学研究与进展》2013年第2期158-161,198,共5页陈乃金 郭维廉 陈燕 王伟 张世林 毛陆虹 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB11905);安徽省高等学校省级自然科学资金资助项目(KJ2007B247;KJ2012B010);芜湖市科技计划自然科学资金资助项目(芜科计字[2012]94号)
使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省...
关键词：负阻单元 互补型金属氧化物半导体 逻辑电路 双极晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 
一种新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器被引量：4
《固体电子学研究与进展》2013年第2期175-178,共4页陈刚 解玉凤 林殷茵 
国家自然科学基金资助项目(61006016);国家863资助项目(2008AA031401;2011AA010404)
介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器,采用0.13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现,芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20～60°C的温度范围内,采用两点校正方法之后,温度误差为-0.2°C/0.5°C。该温...
关键词：互补型金属氧化物半导体温度传感器 亚阈值区 低功耗宽电压范围 电源抑制比 
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