一种新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器  

A Novel CMOS Temperature Sensor with High Accuracy Wide Supply Voltage Range

作　　者：陈刚[1] 解玉凤[1] 林殷茵[1] 

机构地区：[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海201203

出　　处：《固体电子学研究与进展》2013年第2期175-178,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61006016);国家863资助项目(2008AA031401;2011AA010404)

摘　　要：介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器,采用0.13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现,芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20～60°C的温度范围内,采用两点校正方法之后,温度误差为-0.2°C/0.5°C。该温度传感器可以在1.8～3.6V的电源电压范围内安全可靠地工作,并且具有较高的电源抑制比。测试结果表明,其输出电压斜率为3.9mV/°C,1.8V下功耗为1.3μW。This paper proposes a quite accurate CMOS temperature sensor designed and developed for monitoring temperature. The circuit has been implemented by IO thick-oxide MOS devices in 0. 13μm standard logic process and occupies a silicon area of 37μm×41μm. The tem- perature error of the sensor is -0.2℃/0. 5℃ using two-point calibration from -20 to 60℃. The sensor can operate under voltage from 1.8 to 3.6 V with high PSRR. Test results show a re- sponsivity of 3.9 mV/℃ and power consumption of 1.3μW@l. 8 V.

关 键 词：互补型金属氧化物半导体温度传感器 亚阈值区 低功耗宽电压范围 电源抑制比 

分 类 号：TN407[电子电信—微电子学与固体电子学] TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]