基于0.5μm标准CMOS工艺的新型Λ负阻器件  

作　　者：陈燕[1] 毛陆虹[1] 郭维廉[1] 于欣[1] 张世林[1] 谢生[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《科学通报》2011年第36期3054-3056,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61036002)

摘　　要：介绍了一种新型的I-V特性为Λ型的负阻器件(negative resistance device,NRT),该器件使用上华0.5μm标准互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor transistor,CMOS)工艺制造.为节省器件数目,此类负阻器件并不调用上华工艺库中现有的标准元件模型,而是将一个金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)和一个双极晶体管(bipolar junction transistor,BJT)制作在相同的n阱中,利用p型基区层作为MOSFET的衬底,从而将两个器件合二为一.NRT拥有较低的谷值电流-6.8217nA和较高的电流峰谷比(peak-to-valley current ratio,PVCR)为3591.器件的峰值电流较小,为-24.4986μA,意味着较低的功耗.该负阻器件的平均负阻阻值为32kΩ.不同于近年来的大多数负阻器件,本器件制作于硅材料衬底上而非化合物材料衬底.因而能够与主流CMOS工艺兼容.新型NRT功耗较低,同时能够极大地节省器件数目,减小芯片占用面积,极大地降低了成本费用.

关 键 词：∧型负阻器件 CMOS P 型基区层 电流峰谷比 低功耗 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]