电流峰谷比

作品数：7被引量：3H指数：1
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基于0.5μm标准CMOS工艺的新型Λ负阻器件
《科学通报》2011年第36期3054-3056,共3页陈燕 毛陆虹 郭维廉 于欣 张世林 谢生 
国家自然科学基金资助项目(61036002)
介绍了一种新型的I-V特性为Λ型的负阻器件(negative resistance device,NRT),该器件使用上华0.5μm标准互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor transistor,CMOS)工艺制造.为节省器件数目,此类负阻器件并不调...
关键词：∧型负阻器件 CMOS P 型基区层 电流峰谷比 低功耗 
不对称势垒对共振隧穿二极管I-V特性的影响
《微纳电子技术》2010年第11期663-667,共5页武一宾 杨瑞霞 商耀辉 牛晨亮 王健 
国家部委基金项目
利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性。在峰值电流密度为132kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷...
关键词：不对称势垒 共振隧穿二极管(RTD) 电流峰谷比(PVCR) 负微分电阻(NDR) 分子束外延(MBE) 磷化铟 
InP基谐振隧穿二极管的研究被引量：1
《半导体技术》2008年第2期141-143,共3页李亚丽 张雄文 冯震 周瑞 张志国 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行...
关键词：谐振隧穿二极管 电流峰谷比 铟磷基外延材料 
RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1594-1598,共5页梁惠来 郭维廉 宋瑞良 齐海涛 张世林 胡留长 李建恒 毛陆虹 商跃辉 冯震 田国平 李亚丽 
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
关键词：RTT RTD HEMT 跨导截止频率 电流峰谷比 
RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1107-1111,共5页齐海涛 李亚丽 张雄文 冯震 商耀辉 郭维廉 
国防科技重点实验室基金(批准号:9140C0602030603);中国博士后科学基金(批准号:20060400189)资助项目~~
依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结...
关键词：共振隧穿晶体管 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 电流峰谷比 
新型恒压控制型负阻HBT的研制进展
《半导体技术》2007年第7期553-557,共5页齐海涛 郭维廉 张世林 
国家重点基础研究发展规划项目(2002CB311905);中国博士后科学基金资助(20060400189)
研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT。超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的,在GaAs基InGaP/GaAs和AlGaAs/G...
关键词：负阻 异质结双极晶体管 电流峰谷比 
与HBT工艺兼容的新型负阻器件的研制与分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第2期202-206,共5页齐海涛 郭维廉 张世林 梁惠来 毛陆虹 
国家重点基础研究计划项目(973)(批准号2002CB311905);天津大学青年教师基金资助
在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻。通过atlas器件模拟软件进行模拟后对其物理机制进行了解释。该器件既能保持HBT高频、高速的特点,又具...
关键词：负阻器件 异质结双极晶体管 电流峰谷比 器件模拟 
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