RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制  

Design and Fabrication of RTD/HEMT Series Connection Resonant Tunneling Transistor

作　　者：齐海涛[1,2] 李亚丽[3] 张雄文[3] 冯震[3] 商耀辉[3] 郭维廉[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [3]中国电子科技集团公司第十三研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第7期1107-1111,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国防科技重点实验室基金(批准号:9140C0602030603);中国博士后科学基金(批准号:20060400189)资助项目~~

摘　　要：依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础.Based on the conception of RTD/HEMT series connection resonant tunneling transistors, an RTD/HEMT monolithic integration material structure was designed and grown by molecular beam epitaxy. RTT was fabricated using wet Chemical etching, metal lift-off,mass isolation, and air bridge technologies. The device has a distinct gate-controlled negative differential resistance. The maximal peak-to-valley current ratio （PVCR） of the forward direction connection RTT is about 2. 2 and the maximal PVCR of the backward direction connection RTT is about 4. 6. This experiment lays a foundation for the optimization of RTT and RTD/HEMT monolithic integration circuit development.

关 键 词：共振隧穿晶体管 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 电流峰谷比 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]