商跃辉

作品数：4被引量：3H指数：1
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发文主题：RTDMOBILE离子注入材料结构共振隧穿二极管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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RTD／HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系
《固体电子学研究与进展》2008年第2期167-171,共5页郭维廉 牛萍娟 苗长云 于欣 王伟 商跃辉 冯震 田国平 
国家自然基金(批准号:NSFC60536030)资助;超高速专用集成电路重点实验室基金项目(批准号:514320104Jw1401)资助
为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电...
关键词：共振隧穿二极管 材料结构 器件参数 
RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1594-1598,共5页梁惠来 郭维廉 宋瑞良 齐海涛 张世林 胡留长 李建恒 毛陆虹 商跃辉 冯震 田国平 李亚丽 
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
关键词：RTT RTD HEMT 跨导截止频率 电流峰谷比 
平面型RTD及其MOBILE的设计与研制被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第12期2167-2172,共6页郭维廉 梁惠来 张世林 胡留长 毛陆虹 宋瑞良 牛萍娟 王伟 商跃辉 王国全 冯震 
超高速专用集成电路重点实验室基金资助项目(批准号:51432010204JW1401)~~
鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构...
关键词：RTD 平面型RTD 离子注入 MOBILE 
栅型共振隧穿晶体管的设计与研制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第11期1974-1980,共7页郭维廉 梁惠来 宋瑞良 张世林 毛陆虹 胡留长 李建恒 齐海涛 冯震 田国平 商跃辉 刘永强 李亚丽 袁明文 李效白 
超高速专用集成电路重点实验室基金资助项目(批准号:51432010204JW1401)~~
在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改...
关键词：共振隧穿晶体管 栅控型器件 GaAs基量子器件 
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