栅型共振隧穿晶体管的设计与研制  

Design and Fabrication of Gate-Type Resonant Tunneling Transistors

作　　者：郭维廉[1] 梁惠来[1] 宋瑞良[1] 张世林[1] 毛陆虹[1] 胡留长[1] 李建恒[1] 齐海涛[1] 冯震[2] 田国平[2] 商跃辉[2] 刘永强[2] 李亚丽[2] 袁明文[2] 李效白[2] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072 [2]中国电子科技集团第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第11期1974-1980,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：超高速专用集成电路重点实验室基金资助项目(批准号:51432010204JW1401)~~

摘　　要：在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.A GaAs-based resonant tunneling transistor with a gate structure （GRTT） has been designed and fabricated successfully for the first time in China's Mainland. The design of the material structure,device structure,and photolithography mask;the fabrication of the device;and the parameter measurement and analysis are described systematically. The fabricated GRTT has a maximum PVCR of 46 and maximum transconductance of 8mS. This work establishes a foundation for further improvement of the performance and parameters of RTTs.

关 键 词：共振隧穿晶体管 栅控型器件 GaAs基量子器件 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]