氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si纯ZnO相的研究  

Stoichiometric ZnO phase studies on ZnO/Si grown by O^+-assisted PLD

作　　者：李庚伟[1] 吴正龙[2] 杨少延[3] 

机构地区：[1]中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京100083 [2]北京师范大学分析测试中心,北京100875 [3]中国科学院半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《渤海大学学报（自然科学版）》2005年第3期193-197,共5页Journal of Bohai University:Natural Science Edition

基　　金：国家"八六三"计划资助项目(863-715-001-0162)

摘　　要：通过X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对ZnO/S i异质结构进行了分析。结果表明:用该法可生长出正化学比的纯ZnO相,脉冲激光淀积(PLD)法生长ZnO/S i样品时氧离子束辅助(O+-assisted)是必要的。Heteroepitaxial structres ZnO/Si(111) grown by O^+-aimed Pulsed Laser Deposition (PLD) has been investigated by using X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) depth profile measurements. The experiments show that: stoichiometric ZnO phase is grown up in the method. If we want to grow up ZnO/Si thin film by PLD, we may use O^+-assisted method.

关 键 词：ZnO/Si异质结构 X射线光电子能谱(XPS) 氧离子束辅助(O^+-assisted) 俄歇参数α′ 脉冲激光淀积(PLD) 

分 类 号：O641[理学—物理化学]