半导体压力传感器的制造方法  

作　　者：杨清风 

出　　处：《国外传感技术》2005年第2期46-47,共2页

摘　　要：原先的老式半导体压力传感器是按照薄膜的膜片受压变化来进行压力检测的。这种半导体压力传感器的制造方法是在硅片的整个表面上形成埋入氧化膜．构成上硅层、埋入氧化膜、下硅层3层结构，然后在上硅层钻出通向埋入氧化膜的内孔，并由此内孔注入腐蚀液，局部去掉埋入氧化膜，用所谓的西莫克斯(Simox)工艺形成薄膜的膜片。

关 键 词：半导体压力传感器 制造方法 掩模体 硅基片 

分 类 号：TP212.12[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]