InAlAs/InGaAs/InP异质结构的X射线双晶衍射研究  

作　　者：麦振洪[1] 王超英[1] 吴兰生[1] 江潮[1] 周钧铭[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《中国科学（A辑）》1994年第1期44-51,共8页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文应用X射线双晶衍射技术结合X射线衍射动力学理论的计算模拟,研究了MBE生长的InGaAs/InAlAs/InP异质结结构材料的外延层生长条件与层厚、成分的关系,X射线双晶衍射形貌图表明:衬底和外延膜存在位错和沉淀物等缺陷,衬底的不完美性直接影响外延膜的质量,文中还应用X射线衍射动力学理论对所观察到的沉淀物衬度进行解释,指出沉淀物周围点阵受张应变场。

关 键 词：X射线衍射 半导体薄膜 缺陷 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]