P型硅光电二极管的特性  

Property of P-Type Silicon Photodiode

作　　者：陈定钦[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所

出　　处：《半导体光电》1989年第3期28-31,共4页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：本文报导了一种光照面积为φ2.5mm 的 P 型硅光电二极管的制造和电学特性。在0.9μm 的峰值波长时,电流灵敏度为0.5μA/μW。器件最小可探测功率可达3.6×10^(-9)W。由于采用保护环结构,使得其暗电流较小,器件的稳定性和可靠性都相当好。This paper reports inanufacture and electrical characteristic of P- type silicon photodiode with light-sensitivc area cf diameter 2.5mm.Sensilivity of cunent at the peak wa elength 0.9μm is 0.5 μA/μW.The noise equi alent power(NEP)of the photodiode is 3.6×10^(-10)W.Due to using guard ring structure,the device had smaller dark current,and its stability and reliability are quite desiralle.

关 键 词：光电 二极管 硅 特性 

分 类 号：TN310.1[电子电信—物理电子学]