陈定钦

作品数：10被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：INP光电子材料欧姆接触SIO半导体器件更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》《光谱学与光谱分析》《电子器件》《光电子．激光》更多>>
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光电子材料InP玷污的研究
《光谱学与光谱分析》2002年第4期550-551,共2页徐建成 丁小平 陈定钦 
文章给出了光电子材料InP的 ( 10 0 )和 ( 111)晶面质谱分析的结果 ,对 ( 10 0 )晶面做了光荧光分析。在 30 0和 77K温度下测量了 ( 10 0 )晶面的电子浓度及电子迁移率。
关键词：光电子材料 INP 质谱分析 光荧光 电子浓度 电子迁移率 磷化铟 提纯 硅 杂质 
光电子材料InP与金属接触的物理特性研究被引量：1
《光电子．激光》1998年第1期68-70,共3页徐建成 陈定钦 
本文讨论了ＩｎＰ与金属接触时的电荷输运方式；给出了ｎ型ＩｎＰ材料掺杂浓度为（１×１０１５～１×１０１７）ｃｍ－３时电子输运（以热电子发射为主）的数学表达式；测量了国产ＩｎＰ单晶与一些金属的接触势垒；分析了“金属－ｎ＋...
关键词：欧姆接触 金属势 光电子材料 
InP材料的质谱分析及霍耳系数测量
《电子器件》1996年第3期171-174,共4页徐建成 陈亚宁 陈定钦 
本文给出了ＩｎＰ材料（１００）和（１１１）晶面的质谱分析结果，并且对（１００）晶面做了光荧光分析。在室温和液氮条件下，测量了（１００）晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明沾污主要来自硅。
关键词：质谱分析 光荧光 电子浓度 电子迁移率 磷化铟 
平面型Gunn器件低温SiO_2和PSG的淀积
《分析测试技术与仪器》1996年第1期57-60,共4页徐建成 刘澎 陈定钦 
采用“夹层结构”的方法制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料，以及低温（４２０℃～４５０℃）淀积ＳｉＯ２的原理、工艺条件和可控硅电路．
关键词：低温淀积 畴雪崩器件 二氧化硅 PSG淀积 
WSi栅耗尽型高电子迁移率晶体管制作
《半导体光电》1996年第1期47-49,共3页陈定钦 
国家自然科学基金
用国产ＭＢＥ调制掺杂材料研制了具有难熔金属硅化物（ＷＳｉ）栅的耗尽型高电子迁移率晶体管器件。这种低噪声器件的栅长和栅宽分别为１．２～１．５μｍ和２×１６０μｍ。制作该器件的材料的电子迁移率，在３００Ｋ温度下为６０８０...
关键词：半导体器件 WSi栅 制造工艺 
平面型Gunn器件低温SiO_2淀积
《半导体光电》1995年第4期352-354,共3页陈定钦 徐建成 
中科院院经费资助
采用“夹层结构”的方法，在制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料上，低温（４２０～４５０℃）淀积ＳｉＯ２；并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。
关键词：半导体器件 砷化镓 处延生长 低温淀积 
“Au—n^＋（薄）—InP”结构及界面特性分析
《光电子．激光》1995年第2期88-92,共5页夏瑞东 陈定钦 
“Ａｕ－ｎ~＋（薄）－Ｉｎｐ”结构及界面特性分析夏瑞东，陈定钦（首都师范大学物理系１０００３７）（中国科学院半导体所１０００８３）摘要采用＂ＡＥＳ＂技术分析了Ａｕ－ＩｎＰ接触在不同温度下热处理得到的结果。发现Ａｕ向Ｉ...
关键词：化合物 半导体材料 AU INP 界面特性 欧姆接触 
耗尽型选择性掺杂异质结晶体管
《电子科学学刊》1990年第1期100-102,共3页陈定钦 张晓玲 熊思强 高翠华 周帆 
设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm^2/v·s,二维薄层电子浓度n_s=9×10^(11)cm^2。在77K时μ_n=75000cm^2/v·s...
关键词：异质结晶体管 掺杂 MBE材料 晶体管 
探测功率10^(-10)W的光电器件的计算与设计
《半导体光电》1989年第4期56-61,共6页陈定钦 
本文计算和比较了 Ge、Si、GaAs 器件的热噪声、信号电压、信/噪比、得到了制造功率为10^(-10)W 光电探测器的有效途径和实验方案。认为采用 P^+型衬底、外延高阻 P 型 Si、或用电阻率2Ω-cm 的 P 型 Si,制作光电倍增(雪崩)二极管,可以...
关键词：光电器件 计算 设计 光电探测器 
P型硅光电二极管的特性被引量：1
《半导体光电》1989年第3期28-31,共4页陈定钦 
本文报导了一种光照面积为φ2.5mm 的 P 型硅光电二极管的制造和电学特性。在0.9μm 的峰值波长时,电流灵敏度为0.5μA/μW。器件最小可探测功率可达3.6×10^(-9)W。由于采用保护环结构,使得其暗电流较小,器件的稳定性和可靠性都相当好。
关键词：光电 二极管 硅 特性 
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