“Au—n^＋（薄）—InP”结构及界面特性分析  

The Formation of "Metal-n￣+)(Thin)-InP"Constructure and Analysis on its Characteristics

作　　者：夏瑞东[1] 陈定钦[1] 

机构地区：[1]首都师范大学物理系,中国科学院半导体所

出　　处：《光电子．激光》1995年第2期88-92,共5页Journal of Optoelectronics·Laser

摘　　要：“Ａｕ－ｎ~＋（薄）－Ｉｎｐ”结构及界面特性分析夏瑞东，陈定钦（首都师范大学物理系１０００３７）（中国科学院半导体所１０００８３）摘要采用＂ＡＥＳ＂技术分析了Ａｕ－ＩｎＰ接触在不同温度下热处理得到的结果。发现Ａｕ向Ｉｎｐ一侧内扩散，并认为正是这种高掺?..ln this paper,the surface morphology for InP contact to Au at different heat treatment temperatures is observed by ways of auger electron spectroscopy (AES).lt is found that 5 min. after heat treatmented at 45°level, the in-diffusion depth of reaches 120A. The 'metal-n￣+(thin)InP'constructure contacts have been analysed in detail. Relationships between the deped degradation thichness (d) of Au and the barrier height lowering are obtained by theory analysisand tested by experment.

关 键 词：化合物 半导体材料 AU INP 界面特性 欧姆接触 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]