平面型Gunn器件低温SiO_2淀积  

Low temperature deposition of SiO_2 for planar type Gunn domain avalanche device

作　　者：陈定钦[1] 徐建成[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,首都师范大学物理系

出　　处：《半导体光电》1995年第4期352-354,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：中科院院经费资助

摘　　要：采用“夹层结构”的方法，在制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料上，低温（４２０～４５０℃）淀积ＳｉＯ２；并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。Employing sandwich structure,SiO2 deposition on n-GaAs epitaxial layer for a planar Gunn domain avalanche device is carried out at low temperature of 420￣450℃.The principle,technological conditions and important results are described.

关 键 词：半导体器件 砷化镓 处延生长 低温淀积 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.054