刘澎

作品数：1被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：首都师范大学物理系更多>>
发文主题：SIOPSG二氧化硅淀积平面型更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《分析测试技术与仪器》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
平面型Gunn器件低温SiO_2和PSG的淀积
《分析测试技术与仪器》1996年第1期57-60,共4页徐建成 刘澎 陈定钦 
采用“夹层结构”的方法制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料，以及低温（４２０℃～４５０℃）淀积ＳｉＯ２的原理、工艺条件和可控硅电路．
关键词：低温淀积 畴雪崩器件 二氧化硅 PSG淀积 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部