GaAs、GaAlAs晶片的化学择优腐蚀  

Selective Etchings of GaAs and AlGaAs Crystal Gao wei,Zhuang Wanru,Tan Shuming

作　　者：高伟[1] 庄婉如[2] 谭叔明[1] 

机构地区：[1]北方交通大学物理系 [2]中国科学院半导体研究所

出　　处：《半导体光电》1989年第4期31-35,15,共6页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金6866022

摘　　要：本文在总结实验的基础上,给出了化学腐蚀的选择原则。并针对化学腐蚀中较重要的晶向择优和异质择优腐蚀,借助大量的曲线和照片,就 GaAs、GaAlAs材料做了讨论。最后,简单介绍了一下它们的应用。Based on experiments,first,the selection principles of etchings are given.And then,by the aid of urves and photographs,the crystal orientation selective etching and the hetero selective etching of GaAs and AlGaAs materials as a more important part of chemical etcnings are discussed.Finally,the main app- lications of selective etchings are briefly presented.

关 键 词：晶向 腐蚀 晶片 GAAS GaA1As 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]