GaAs　MSM光电探测器暗电流特性  

Dark current property of GaAs MSM photodetectors

作　　者：王庆康[1] 冯胜[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微电子所

出　　处：《半导体光电》1995年第4期336-338,342,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金;上海交通大学科技基金

摘　　要：据根金属─半导体─金属（ＭＳＭ）光电探测器内的能带结构以及热电子发射与扩散理论相结合的模型，导出了ＭＳＭ光电探测器暗电流的计算公式，并用数值计算方法分析了不同距离（Ｌ）和不同掺杂浓度（ＮＤ）与暗电流的关系，为设计低暗电流ＭＳＭ光电探测器提供了依据。The formula for dark current of MSM photodetectors is derived based on the band structure and the model of thermoelectronic emission associated with diffusion theory. The dependence of dark current on distance L between electrodes and doping density ND is analyzed in term of numerical calculation.It is of benefit for designing GaAs MSM-PD with low dark current.

关 键 词：光电器件 光电二极管 特性测试 暗电流 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]