光致诱蚀无显影气相光刻（DFVP）作用机理及其应用  

作　　者：王培清[1] 卢建平[1] 陈永麒[1] 张斌[1] 洪啸吟[1] 

机构地区：[1]清华大学

出　　处：《半导体技术》1995年第2期13-15,共3页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：大功率半导体器件是机电一体化不可缺少的基础元件，光致诱蚀无显影气相ＤＦＶＰ光刻具有分辨率高、针孔密度低、光刻流程短、设备简单、经济上节约等优点。因此将ＤＦＶＰ运用于晶闸管器件的生产具有重要的意义。研究的技术关键是要解决厚ＳｉＯ＿２层的刻蚀、刻蚀的曝光量及速度问题。本课题对ＤＦＶＰ机理作了进一步研究，从而研究了两种新的光致诱蚀剂；已大大缩短曝光时间（约１分钟），并能刻蚀含杂质镓且厚达１．４μｍ的ＳｉＯ＿２层；对腐蚀设备进行了大的改进，使其能适应生产的需要。

关 键 词：光致诱蚀 无显影 气相光刻 二氧化硅层 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]