a－Si：O：H对硅平面三极管的表面钝化  

作　　者：邹永庆 华厚玉 

机构地区：[1]淮北煤炭师院物理系

出　　处：《半导体技术》1995年第3期41-43,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：采用ａ－Ｓｉ：Ｏ：Ｈ对硅平面三极管表面进行二次钝化，可以使器件正向特性曲线明显变平，饱和区、截止区变窄，反向击穿特性显著变硬，击穿电压有所提高，漏电流有了较大的减小，而且具有较强的Ｎａ￣＋阻挡能力。

关 键 词：硅平面 三极管 表面钝化 硅器件 a-硅∶氧∶氢 

分 类 号：TN325.2[电子电信—物理电子学] TN305.2