GaAs／AlGaAs激光器及其列阵电流注入及电子线分布研究  

Study on Current Injected and Equi-potential Line Distribution in GaAs/AlGaAs Lasers and Array Devices

作　　者：吴小萍[1] 朱祖华[1] 

机构地区：[1]浙江大学信息电子工程学系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第9期659-662,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家八六三计划;集成光电子学国家重点实验室的支持

摘　　要：采用连续波电光检测法（ＣＷＥＯＰ）测量ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤＨ激光器及其列阵在不同部位的电场分布。Abstract The Continuous Wave Electro-optic Probing (CWEOP) technique is used to measure the electric field distribution in the different regions, active layer, lower-confinement layer and substrate,of GaAs/AlGaAs DH lasers and array devices. Based on the experimental results,we analyze the distribution of current injection and present a new model of current injection in the two optoelectronic devices.

关 键 词：激光器 砷化镓 ALGAAS 电流注入 电子线分 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]