GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定  

Determination of SIMS Relative Sensitivity Factors of Oxygen in GaAs

作　　者：陈春华[1] 陈新[1] 王佑祥[1] 姜志雄 

机构地区：[1]中国科学院国家重点表面物理实验室,中国科学院半导体研究所,清华大学电子工程系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第10期747-753,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：介绍了用离子注入标样测定ＧａＡｓ中氧的ＳＩＭＳ相对灵敏度因子的方法，并将实验数据进行离子计数─浓度，溅射时间─深度转换后求得的特征值（Ｃｍａｘ、Ｒｐ、△Ｒｐ等）与理论计算值进行比较，二者符合较好，其中Ｃｍａｘ的ＳＩＭＳ测量值同ＬＳＳ理论计算值和ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟计算值之间的平均偏差分别为９％和２７％．最后，对几种ＧａＡｓ基的材料和器件进行氧的定量分析，获得了有益的结果．Abstract SIMS relative sensitivity factors of 18O and 71Ga 18O have been determined by using the ion implantation standards,and a comparison between the experimental values(Cmax,Rp,Rp)and theoretically calculated values according to LSS and Monte Carlo methods has been made.Both are in agreement. The measurement error of Cmax is less than 25% (Ep=10keV,Ip=0.25μA). Finally,an example of analysis of oxygen in a MBE grown GaAs structure has been given by using this method.

关 键 词：砷化镓 SIMS 氧 测定 相对灵敏度因子 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]