陈新

作品数：19被引量：28H指数：3
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发文主题：二次离子质谱SIMS砷化镓GAAS磁电阻更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《低温物理学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《半导体技术》更多>>
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钙钛矿型稀土锰氧化物La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_(3)中Mn位的Ti替代效应被引量：10
《物理学报》1999年第S1期105-110,共6页李润伟 王志宏 陈新 沈保根 
国家自然科学基金(批准号:59702011和59525101);国家重点基础研究发展规划(批准号:G1998061300)资助的课题。
研究了钙钛矿型锰氧化物Ｌａ２／３Ｃａ１／３ Ｍｎ１ － ｘＴｉｘＯ３（０ ≤ｘ ≤０－３） 的结构、磁性和输运性质．发现Ｔｉ 替代Ｍｎ 强烈地抑制了Ｌａ２／３Ｃａ１／３ ＭｎＯ３ 的铁磁性和金属电导，并很大地提高了磁电阻值．在...
关键词：稀土锰氧化物 钙钛矿型 双交换作用 磁电阻 居里温度 超交换作用 输运性质 铁磁性 热磁曲线 替代效应 
MCs^＋—SIMS技术在研究金属与陶瓷界面反应中的应用
《真空科学与技术》1998年第A12期35-40,共6页王佑祥 陈新 
近年来，实验证明ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术可以明显减小甚至消除ＳＩＭＳ分析中的基体效应，已成功地应用于某些半导体与金属中，适于对痕量杂质以及基体组分进行分析。现将ＭＳｃ＾＋－ＳＩＭＳ技术推广应用来表征金属与陶瓷界面反应...
关键词：二次离子质谱 铯化物离子 界面反应 金属 陶瓷 
Ti/A1N快速退火界面反应的实验研究被引量：4
《真空科学与技术》1997年第3期160-166,共7页陈新 王佑祥 
国家自然科学基金
在电子封装用的A1N陶瓷多晶衬底上生长250nm的Ti膜，并进行快速退火。用RBS（卢瑟福背散射）、AES（俄歇电子能谱）、SIMS（二次离子质谱）和XRD（X射线衍射）等实验技术对界面反应进行了分析研究，用划痕实验测量了退火对Ti／A1N界面...
关键词：电子封装 界面反应 二次离子质谱 钛 薄膜 
MCs^+ -SIMS技术及其应用被引量：6
《真空科学与技术》1997年第3期198-205,共8页岳瑞峰 王佑祥 陈新 陈春华 徐传骧 
国家自然科学基金
强烈的基体效应一直是造成二次离子质谱（SIMS）难以定量分析和解释的主要原因。受其影响，常规SIMS，即M±－SIMS（检测原子型二次离子M＋或M－，M是要分析的元素）的适用范围受到了很大的限制。近几年来，上述状况已经通过一种新技术...
关键词：二次离子质谱 铯化物离子 定量分析 基体效应 
分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究被引量：1
《真空科学与技术》1996年第6期383-387,共5页钟战天 吴冰清 曹作萍 朱文珍 张广泽 王佑祥 陈新 张立宝 朱勤生 邢益荣 
国家自然科学基金
利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，...
关键词：分子束外延 Δ掺杂 砷化镓 
原子团离子在Al_(x)Ga(1-x)As基体组分SIMS定量分析中的应用被引量：1
《真空科学与技术》1996年第5期316-322,共7页姜志雄 查良镇 王佑祥 陈春华 陈新 
国家自然科学基金!69376006
通过检测原子团离于MCs+和MAs－（M是基体元素）对AlxGa1-xAs基体组分进行了定量的分析，考察了MIQ－156SIMS上所测这些原子团离子的能量分布及其对分析结果的影响，并对正、负SIMS测量方法做出比较。
关键词：二次离子质谱 基体组分 定量分析 原子团离子 
Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究被引量：2
《真空科学与技术》1996年第5期323-328,共6页王佑祥 顾诠 崔玉德 陈新 
国家自然科学基金
用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行A...
关键词：界面反应 俄歇电子能谱 氧化铝 陶瓷 
Ti和蓝宝石的界面反应被引量：2
《物理学报》1996年第5期832-843,共12页顾诠 王佑祥 崔玉德 陈新 陶琨 
国家自然科学基金资助的课题
在超高真空中用电子束蒸发在抛光的(1102)取向的蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上蒸镀500nm的Ti膜,在恒温炉中退火,然后用XRD(包括一般的和小角度的X射线衍射),AES(俄歇电子谱,包括深度剖面分布和通过界面的谱形分析)和SIMS(二次离子质谱)等表...
关键词：钛 蓝宝石 界面反应 
GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定
《Journal of Semiconductors》1995年第10期747-753,共7页陈春华 陈新 王佑祥 姜志雄 
国家自然科学基金
介绍了用离子注入标样测定ＧａＡｓ中氧的ＳＩＭＳ相对灵敏度因子的方法，并将实验数据进行离子计数─浓度，溅射时间─深度转换后求得的特征值（Ｃｍａｘ、Ｒｐ、△Ｒｐ等）与理论计算值进行比较，二者符合较好，其中Ｃｍａｘ的ＳＩＭ...
关键词：砷化镓 SIMS 氧 测定 相对灵敏度因子 
二次离子质谱仪离子枪溅射速率的能量依赖关系被引量：1
《真空科学与技术》1995年第5期335-338,共4页陈新 陈春华 王佑祥 
国家自然科学基金!69376006
本文绘出了MIQ－56型SIMS仪器中离子枪溅射速率和一次束能量及扫描档次的数学表达式，并且通过实验测量加以证实；同时还得到了一次束直径和束流强度的线性关系，为SIMS实验参数选择提供了有力依据。
关键词：二次离子质谱 溅射速率 一次离子束能量 
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