吴冰清

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：分子束外延Δ掺杂分子束外延生长砷化镓GAAS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究被引量：1
《真空科学与技术》1996年第6期383-387,共5页钟战天 吴冰清 曹作萍 朱文珍 张广泽 王佑祥 陈新 张立宝 朱勤生 邢益荣 
国家自然科学基金
利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，...
关键词：分子束外延 Δ掺杂 砷化镓 
Al_xGa_（1－x）As外延层中Si平面掺杂的SIMS研究
《功能材料与器件学报》1995年第1X期2-8,共7页钟战天 吴冰清 曹作萍 张广泽 王佑祥 陈新 朱文珍 张立宝 肖君 朱勤生 邢益荣 
国家自然科学基金
利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）系统地研究了生长温度，Ａｌ组份ｘ值和Ａｓ＿４压强对Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿...
关键词：ALGAAS 硅 分子束外延 平面掺杂 二次离子质谱 
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