MCs^＋—SIMS技术在研究金属与陶瓷界面反应中的应用  

作　　者：王佑祥[1] 陈新[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《真空科学与技术》1998年第A12期35-40,共6页Vacuum Science and Technology

摘　　要：近年来，实验证明ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术可以明显减小甚至消除ＳＩＭＳ分析中的基体效应，已成功地应用于某些半导体与金属中，适于对痕量杂质以及基体组分进行分析。现将ＭＳｃ＾＋－ＳＩＭＳ技术推广应用来表征金属与陶瓷界面反应导致的组分变化。对不同温度退火的金属（Ｔｉ）与陶瓷（Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ等）界面进行了分析，成功地观察到了界面的组分变化，为其他技术进一步证实，并且获得了新的结果。

关 键 词：二次离子质谱 铯化物离子 界面反应 金属 陶瓷 

分 类 号：O484[理学—固体物理] O657.99[理学—物理]