退火条件对β—FeSi_2形成的影响  

Influence of Annealing on Formation of β-FeSi_2

作　　者：陈向东 王连卫 林贤 林成鲁[1] 邹世昌[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第10期794-797,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：上海市重大自然科学基金

摘　　要：本文采用反应沉积－团相外延法制备β－ＦｅＳｉ２溥膜．不同温度及持续时间的后退火处理的Ｘ射线衍射分析表明降低衬底温度，延长退火时间可以提高样品晶体质量．利用卢瑟福背散射方法研究了β－ＦｅＳｉ２的形成过程中的Ｓｉ的扩散。探讨了退火形成β－ＦｅＳｉ２的形成机制．Abstract FeSi2 thin film was prepared by means of Reactive Deposition-Solid Phase Epotaxy.X-ray Diffraction analysis shows that relatively lower temperature and long duration post-annealing process can improve the film quality.Si diffusion in β-FeSi is investigated by Rutherford Backscattering Spectrometry,and the mechanism of β-FeSi2 formation is discussed.

关 键 词：Β-FESI2 退火 光电子材料 外延生长 薄膜 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]