PtSi／Si整流接触的研究  

作　　者：李国正[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电子工程系

出　　处：《半导体杂志》1995年第3期16-18,共3页

摘　　要：本文对影响ＰｔＳｉ／Ｓｉ整流特性的接触进行了详细研究，并试制成功ＰｔＳｉ／Ｐ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ两种用途不同的肖特基势垒二极管。

关 键 词：SBD 硅化铂 硅 制作 整流接触 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]