a-Si:O:H钝化膜  

作　　者：孙金坛[1] 邹永庆[1] 

机构地区：[1]合肥工业大学应用物理系

出　　处：《半导体技术》1989年第1期13-15,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积的氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件表面钝化膜.兼有SiO_2和a-Si_2H的优点,而又克服了它们各自的缺点.用氢化非晶硅氧合金膜钝化平面晶体管,不仅明显地改善了小电流放大系数,而且放在盐水里浸几个小时后,特性不变.

关 键 词：半导体 钝化膜 a-Si:O:H 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]