孙金坛

作品数：6被引量：3H指数：1
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AlN-Si_3N_4膜
《真空科学与技术》1994年第6期449-452,共4页孙金坛 邱德润 
用直流反应溅射沉积AlN－Si3N4膜。通过红外吸收光谱和X射线衍射来验证薄膜的结构。通过各种测量，给出了吸收系数、电阻率、应力、硬度和结合力。实验表明，AlN－Si3N4膜具有良好的光、电和机械特性。
关键词：化学气相沉积 直流反应溅射 AlN-Si3N4膜 
掺硼对非晶碳化硅膜的影响
《材料科学与工艺》1994年第1期28-32,共5页孙金坛 邱德润 
试验观测了掺硼对氢化非晶碳化硅膜生长速率、膜的组分、光学带隙、电导率、硬度和结合力的影响．结果证明，用薄离子作分解（ＳｉＨ４和ＣＨ４）混合气体制备的α－Ｓｉ１－ｘ：ＣＸ：Ｈ膜能有效的掺杂．硼掺杂可改变光学带隙、电导率...
关键词：掺硼 硬度 光学带隙 非晶碳化硅膜 
a-Si:O:H钝化膜被引量：1
《半导体技术》1989年第1期13-15,共3页孙金坛 邹永庆 
本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积的氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件表面钝化膜.兼有SiO_2和a-Si_2H的优点,而又克服了它们各自的缺点.用氢化非晶硅氧合金膜钝...
关键词：半导体 钝化膜 a-Si:O:H 
射频离子辐射损伤的激光退火
《激光杂志》1985年第6期300-302,299,共4页孙金坛 程国义 王和庆 
本文介绍了等离子刻蚀和去胶对MOS、MNOS电容器和双极晶体管所产生的辐射损伤的激光退火,用连续CO_2激光器从背面照射蕊片,可以明显地降低各种MIS结构中的固定电荷和界面陷阱,完全消除辐射损伤,使被损伤的器件特性得到恢复并有所改善,...
关键词：等离子刻蚀 辐射损伤 激光退火 连续CO2激光器 射频 OS电容器 MIS结构 界面陷阱 固定电荷 器件特性 
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