固定电荷

作品数：14被引量：17H指数：3
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Si-MOS结构制备及固定电荷/可动电荷密度测量
《实验室研究与探索》2022年第7期39-43,共5页王旭辉 程军 杨明超 张莉丽 雷冰洁 耿莉 
陕西省一流本科课程项目(编号052)。
研究并制备了一种半导体Si-MOS器件结构,用于Si-SiO_(2)氧化层质量表征和界面测定。实验的测试样品经过切片封装后,可在普通探针台或测试夹具中进行测试,避免了原实验中汞探针的使用,降低了成本的同时避免了汞污染的安全问题;对制作样...
关键词：Si-MOS结构 C-V测试 固定电荷/可动电荷 
不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究被引量：2
《红外技术》2020年第10期953-957,共5页龚晓霞 肖婷婷 杨瑞宇 黎秉哲 尚发兰 孙祥乐 赵宇鹏 陈冬琼 杨文运 
采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响。实验结果表明SiO2+SiNx复合膜能大幅度降低器件表面暗电流,C-...
关键词：钝化膜 InSb探测器 暗电流 固定电荷 
薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性被引量：1
《应用科技》2017年第1期40-44,共5页高梓喻 蒋永吉 李曼 郭宇锋 杨可萌 张珺 
国家自然科学基金项目(61574081);教育部博士点基金项目(20133223110003);江苏省自然科学基金项目(BK20130778);江苏省工业支撑计划项目(BE2013130);国家重点实验室基金项目(KFJJ201403)
随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容...
关键词：硅膜厚度 MIS结构 电容-电压特性 绝缘层固定电荷 
ABEEM_(σπ)和OPLS-AA力场对蛋白质G_A88/G_B88的分子动力学模拟被引量：3
《高等学校化学学报》2013年第1期142-148,共7页王晶晶 刘翠 杨忠志 
国家自然科学基金重点项目(批准号:21133005;21073080)资助
将原子与键电负性均衡方法融入分子力学方法,即利用ABEEMσπ浮动电荷力场与ABEEM-7P水模型相结合的方法及OPLS-AA固定电荷力场方法,对GA88和GB88蛋白进行了水溶液(温度295 K)和真空中的分子动力学模拟.比较两种方法得到的两个蛋白质的...
关键词：原子与键电负性均衡方法 分子力场 OPLSAA固定电荷力场 GA88 GB88蛋白 分子动力学模拟 动力学性质 
新型Si_3N_4层部分固定正电荷AlGaN/GaNHEMTs器件耐压分析
《物理学报》2012年第24期464-469,共6页段宝兴 杨银堂 Kevin J.Chen 
国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006);国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61106076;61006052)资助的课题~~
为了优化传统AlGaN/GaN high electron mobility transistors结构表面电场分布,提高器件击穿电压和可靠性,本文利用不影响AlGaN/GaN异质结极化效应的Si3N4钝化层电荷分布,提出了一种Si3N4钝化层部分固定正电荷AlGaN/GaN high electron m...
关键词：ALGAN GaN high electron mobility TRANSISTORS 固定电荷 电场调制 
界面电荷对C-Si表面钝化质量的影响被引量：2
《光电技术应用》2011年第3期28-34,共7页高华 汪建强 张剑 叶庆好 孟凡英 
上海市科委与应用材料联合基金(08520741400);上海市科委优秀学科带头人项目基金(08XD14022)
深入分析了影响晶体硅与钝化介质层界面复合的主要因素:界面态密度(Dit)、介质层表面电荷密度、衬底掺杂类型及掺杂浓度。研究发现,随着载流子注入水平改变,介质层的钝化质量与介质层带电类型和硅片掺杂类型紧密相关。随着载流子注入水...
关键词：表面钝化质量 固定电荷 注入水平 
超深亚微米P^+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究被引量：4
《电子学报》2003年第z1期2063-2065,共3页郝跃 韩晓亮 刘红侠 
国家 8 63高科技VLSI重大专项基金;国家自然科学基金
本文深入研究了P+ 栅PMOSFET中的NBTI效应 ,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制 :即由水分子参与的Si SiO2 界面处的电化学反应 .
关键词：NBTI效应 PMOSFET 界面态 正氧化层固定电荷 
表面固定电荷对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响被引量：1
《红外与毫米波学报》1997年第2期121-125,共5页桂永胜 郑国珍 褚君浩 郭少令 汤定元 
研究了表面固定电荷密度对ＨｇＣｄＴｅ光导探测器性能的影响，计算结果表明，表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响，选择合适的钝化工艺，控制表面固定电荷密度。
关键词：HGCDTE 光导探测器 电压响应 光电子器件 
有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响被引量：3
《华中理工大学学报》1996年第11期61-63,共3页张少强 徐重阳 邹雪城 王长安 
研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明，这是由于钝化层固定电荷在有源层...
关键词：非晶硅 薄膜晶体管 有源层厚度 固定电荷 
氧化物中固定电荷对硅场致发射的影响
《Journal of Semiconductors》1996年第11期852-857,共6页黄庆安 
国家自然科学基金;国防科技预研基金
本文给出了硅表面覆盖氧化层时，场发射电流的解析公式．考虑了固定氧化物电行时场致发射的影响．结果表明，氧化物和固定电荷均使场发射电流减小，场发射Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ图中有两个明显的线性区．
关键词：硅 场致发射 氧化物 固定电荷 
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