氧化物中固定电荷对硅场致发射的影响  

Influence of Fixed Charges Within Oxide on Field Emission From Si

作　　者：黄庆安[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《Journal of Semiconductors》1996年第11期852-857,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金;国防科技预研基金

摘　　要：本文给出了硅表面覆盖氧化层时，场发射电流的解析公式．考虑了固定氧化物电行时场致发射的影响．结果表明，氧化物和固定电荷均使场发射电流减小，场发射Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ图中有两个明显的线性区．Abstract Taking into account the fixed charge within the oxide, an analytical formula for field emission from the oxide-covered silicon is presented. The results show that both the oxide film and the fixed charge reduce the field; emission current. The Oxide films over about 1nm in thickness result in the two-distinct linear regions in Fowler-Nordheim plot.

关 键 词：硅 场致发射 氧化物 固定电荷 

分 类 号：O462.4[理学—电子物理学]