阳极真空弧沉积膜的背散射分析  

作　　者：王瑞光[1] 

机构地区：[1]烟台大学

出　　处：《表面技术》1995年第3期35-37,共3页Surface Technology

摘　　要：通过对阳极真空弧沉积膜的背散射分析,测出沉积膜中阳极材料W含量不大于0.04％,得出了起弧条件与W蒸发量的关系。

关 键 词：背散射 真空弧沉积 沉积膜 阳极真空弧沉积 

分 类 号：TQ153[化学工程—电化学工业]