复合电沉积法制备SiC_p／Cu复合材料的工艺研究  

The Processing of SiC_p / Cu CompoSite by CompoSite Plating

作　　者：赵乃勤[1] 刘兆年[1] 苏芮 曹阳[1] 李国俊[1] 

机构地区：[1]天津大学材料系

出　　处：《材料工程》1995年第10期23-25,共3页Journal of Materials Engineering

摘　　要：研究了用复合电沉积法制备ＳｉＣ_ｐ／Ｃｕ复合材料的工艺。结果表明，用复合电沉积法制备颗粒增强金属基复合材料是一种切实可行的方法。当镀液中ＳｉＣ颗粒含量为１５ｇ／１，电流密度为４Ａ／ｄｍ￣２，电镀温度１５～２０℃，板泵搅拌时，可获得含有２０ｖｏｌ％ＳｉＣ_ｐ的ＳｉＣ_ｐ／Ｃｕ复合材料。he processing of SiC_p/Cu compoite by compeite plating has been investigated, The results show that it is available that the particle-reinforced com poite is preduced by the method of compcsite plating.The 20vol%SiC_p/Cu compossite can be obtained in the case of 15%SiC concentration in the plating bath,4A/dm￣2 and 15～20℃。

关 键 词：铜基 复合材料 复合电沉积 碳化硅 

分 类 号：TB332[一般工业技术—材料科学与工程]