一种新的超突变结电容电压方程  

A New Equation for Capacitance-Voltage Characteristic of the Hyperabrupt Varactors

作　　者：吴春瑜[1] 朱长纯[1] 张九惠[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电子工程系,辽宁大学电子科学与工程系

出　　处：《电子学报》1995年第11期99-101,共3页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文对超突变结构变容二极管进行了深入的研究，在改进的杂质分布模型基础上，推出一种新的超突变结构电容电压特性方程，方程中的主要参数与实际工艺参数一致，解决了以往模型在这方面的不足。A more practical capacitance-voltage characteristic equation is derived on the basis of theoretic analysis on variable capacitance diode. A modified impurity distribution model is introduced to solve the problem that the main parameters of the model do not concur with the practical parameters.

关 键 词：变容二极管 超突变结 

分 类 号：TN312.1[电子电信—物理电子学]