超突变结

作品数：16被引量：8H指数：1
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超突变结变容管的设计模型被引量：1
《半导体技术》2010年第12期1158-1161,共4页钱刚 郝达兵 顾卿 
通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、RS和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了模拟软件的运行流程。基于该模型和模拟软件...
关键词：超突变结 外延-扩散法 C-V特性 击穿电压 品质因素 
二极管非超突变结C-V幂律分析被引量：1
《中山大学学报（自然科学版）》2009年第4期20-23,共4页李潮锐 唐强 刘小伟 
国家自然科学基金资助项目(1050503310675175)
基于杂质浓度分布的突变结或线性缓变结模型,二极管p-n结(电)容—(电)压关系可简单地由C-V幂律描述。精密的实验测量数据显示,采用指数n=1/2或n=1/3不足以全面描述非超突变结C-V关系。通过引入杂质浓度幂函数分布规律并利用泊松方程,从...
关键词：P-N结 杂质浓度 C-V幂律 泊松方程 
变容二极管的新发展及其应用
《电子元器件应用》2005年第5期41-43,共3页翁寿松 
评述当前变容二极管的新动态,如大电容比、双离子注入、嵌入到调谐器中、多管芯化、超小型化、低电压化和应用多样化等。
关键词：变容二极管 超突变结 电调谐器 综述 
超突变结变容二极管C-V特性研究
《辽宁大学学报(自然科学版)》2005年第1期1-3,共3页吴春瑜 尹飞飞 
辽宁省自然科学基金(002021);辽宁省教育厅科研基金(20021076)
对超突变结器件的杂质分布模型进行了研究并加以改进,导出不同杂质分布的新的电容电压方程,方程中的主要参数与实际工艺参数一致.理论结果与实验曲线符合得很好,证明假设的杂质分布模型是合理的,由此导出的电容电压方程是正确的和实用的.
关键词：变容二极管 杂质 超突变结 
超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值被引量：3
《半导体技术》2000年第1期31-32,38,共3页翁寿松 毛立平 
讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值。
关键词：超突变结 变容二极管 杂质 浓度分布 n值 
新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数被引量：1
《电子学报》1999年第2期127-138,128,共13页吴春瑜 朱长纯 
国家自然科学基金;辽宁省教委自然科学基金
在一种新改进的超突变结变容管杂质分布模型的基础上，对变容管的容压变化指数ｎ与器件的材料和工艺参数之间的关系进行了研究．根据导出的关系进行了数值计算。
关键词：变容管 超突变结 容压变化指数 变容二极管 
根据已知C-V特性确定超突变结变容管设计参数的方法
《微电子学与计算机》1997年第4期11-13,共3页吴春瑜 李森 朱长纯 崔吾元 
国家自然科学基金;辽宁省教委自然基金
本文根据新的超突变结电容电压方程，采用数值筛选方法，可方便、快速地确定出已知C－V曲线变容管的几个主要设计参数。
关键词：变容管 超突变结 C-V特性 设计参数 
超突变结变容管C－V曲线拐点存在条件的研究被引量：1
《西安交通大学学报》1996年第6期22-25,33,共5页朱长纯 吴春瑜 张九惠 
国家自然科学基金
根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究，得出了产生拐点的条件，从而给出了理论上的解释．
关键词：变容二极管 拐点 电容-电压曲线 超突变结构 
超突变结变容管容压变化指数的研究被引量：1
《微电子学与计算机》1996年第2期11-12,56,共3页吴春瑜 朱长纯 
自然科学基金
应用改进的超突变结变容管杂质分布模型，对以杂质分布的不同参数值为特征的容压变化指数ｎ进行了数值计算并绘成了关系曲线图。
关键词：容压变化指数 变容二极管 工艺参数 
一种新的超突变结电容电压方程被引量：3
《电子学报》1995年第11期99-101,共3页吴春瑜 朱长纯 张九惠 
国家自然科学基金
本文对超突变结构变容二极管进行了深入的研究，在改进的杂质分布模型基础上，推出一种新的超突变结构电容电压特性方程，方程中的主要参数与实际工艺参数一致，解决了以往模型在这方面的不足。
关键词：变容二极管 超突变结 
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