超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值  

Distribution of Impurity Concentration and n Value for Hyperabrupt Varactor

作　　者：翁寿松 毛立平 

机构地区：[1]无锡市无线电元件四厂,无锡214061

出　　处：《半导体技术》2000年第1期31-32,38,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值。The distribution of impurity concentration and n value for homemade and impor ted hyperabrupt varactors are discussed.Measures to improve the characteristics of homemade hyperabrupt varactors are given.

关 键 词：超突变结 变容二极管 杂质 浓度分布 n值 

分 类 号：TN312.1[电子电信—物理电子学]