新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数  

The C V Index of Hyperabrupt Varactors on The Basis of a New Model

作　　者：吴春瑜[1,2] 朱长纯[1,2] 

机构地区：[1]辽宁大学电子科学与工程系 [2]西安交通大学电子与信息工程学院

出　　处：《电子学报》1999年第2期127-138,128,共13页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家自然科学基金;辽宁省教委自然科学基金

摘　　要：在一种新改进的超突变结变容管杂质分布模型的基础上，对变容管的容压变化指数ｎ与器件的材料和工艺参数之间的关系进行了研究．根据导出的关系进行了数值计算。The relationship between C V index of varactors and the parameters of materials and technics of the device has been studied on the basis of a new improved impurity profile model of hyperabrupt varactors.Then the numerical calculation and the practical relation curve have been fulfilled.

关 键 词：变容管 超突变结 容压变化指数 变容二极管 

分 类 号：TN312.102[电子电信—物理电子学]