GaN：Zn发光的显微观察  

SCANNING ELECTROMICROSCOPY AND LUMINESCENCE STUDY OF GaN: Zn

作　　者：李晴棉[1] 徐迈[1] 马仁祥[1] 孙亚莉 李奉民[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春物理研究所,中国科学院激发态物理开放研究实验室,沈阳工业大学

出　　处：《发光学报》1995年第4期330-336,共7页Chinese Journal of Luminescence

摘　　要：利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察了气相外延ＧａＮ：Ｚｎ晶片的表面形貌、Ｚｎ浓度分布和阴极射线发光微区光谱及其ＭＩＳ结构的电致发光微区光谱．研究表明，Ｚｎ杂质掺入ＧａＮ可以形成四种能量位置的发光中心；它们的形成与Ｚｎ浓度和晶体的微区结构有关；二者的不均匀决定了发光的不均匀性．he surface topography,concentrition distribution of doped Zn ions and microregion cathodo luminescence in GaN:Zn epitaxial films were studied.The results show that four types of zincic luminescence centres can exist in GaN epitaxial films,depending on the crystal structures and Zn concentrition of micro-region.

关 键 词：氮化镓 锌掺杂 发光性能 气相处延 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]