全离子注入平面型锗光电探测器(Ge-PD)的暗电流-温度特性  

作　　者：丁国庆[1] 

机构地区：[1]武汉邮电科学研究院器件所

出　　处：《半导体技术》1989年第5期24-28,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：本文从理论上计算了未封装的φ90μmGe-PD的暗电流随温度的变化率小于0.10/℃,实验结果与计算值基本相符.指出了该温度特性优于同等结构的硅器件;用环氧树脂耦合封装的Ge-PD,其暗电流随时间变化率大于未封装的器件管芯.封装材料和方法对器件温度稳定性有重要影响.

关 键 词：离子注入 锗 光电探测器 温度特性 

分 类 号：TN382[电子电信—物理电子学]