掺镧抑制氟化钡晶体闪烁光慢成分的机理研究  

The mechanism of slow component suppression in La doped BaF_2 crystal

作　　者：顾牡[1] 陈玲燕[1] 黎青[1] 王利明[1] 项开华 郑万辉[1] 李学鹏[1] 俞方华[1] 

机构地区：[1]同济大学,中国科学院上海原子核研究所

出　　处：《核技术》1995年第7期391-394,共4页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：运用局域密度近似的Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ－Ｓｌａｔｅｒ理论和嵌入分子集团的方法分别对氟化钡（ＢａＦ２）和掺镧氟化钡（ＢａＦ２：Ｌａ３＋）的能级结构进行了计算，发现掺Ｌａ对抑制ＢａＦ２晶体闪烁光慢成分的直接原因可能并非Ｌａ本身，而是由它所引入的填隙氟离子（Ｆ１）。The electronic structure of pure BaF2 crystal and La doped BaF2 crystal have been calculated using a self-consistent molecular-cluster model. The cluster is embedded in the crystal lattice and the entire system is treated iteratively in the Hartree-Fock-Slater local-density theory. As La doped BaF2 is concerned, the obtained results reveal that the Fi introduced by La may contribute to the suppression of the slow component in the scintillation light of BaF2 crystal.

关 键 词：氟化钡 闪烁光 慢成分 抑制 镧 闪烁晶体 晶体 

分 类 号：TL812.1[核科学技术—核技术及应用] TL281