氮化铝陶瓷基片制造工艺稳定性研究  

作　　者：黄岸兵 崔嵩 

出　　处：《混合微电子技术》1995年第1期26-31,共6页Hybrid Microelectronics Technology

摘　　要：本文讨论了影响ＡｌＮ制造工艺稳定性的几个因素。得到一种具有热导率大于１００Ｗ／ｍ．Ｋ，成品率约为８５％的ＡｌＮ基片较为稳定的制造工艺。

关 键 词：氮化铝陶瓷基片 制造工艺 稳定性 集成电路 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]