CF_4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究  

Leakage Current and Electron Barrier Height of Thin Tunnel Oxide Grown on a CF_4 Pretreated Wafer

作　　者：刘倜[1] 欧文[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第7期1434-1436,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究专项经费(批准号:G20000365);国家自然科学基金(批准号:60276023)资助项目~~

摘　　要：嵌入式FlashMemory要求低的工作电压.采用反应离子刻蚀技术,用CF4气体在低功率下对硅片做预处理,再热生长薄氧化层,从而在氧化层中引入F,降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低到2.5eV,隧穿电流增加,从而可以在低压下提高FlashMemory的编程效率.Thin tunnel-oxide grown on RIE（reaction ion etch） pre-treated wafer with CF4 at low-power is investigated. SiO2/Si barrier height is lowered because F is induced into the thin tunnel-oxide：the barrier height drops from 3.05 to 2.5eV. Thus the tunneling current increases and the programming efficiency at low-voltage is improved.

关 键 词：FLASH MEMORY 漏电流 电子势垒 F化隧穿氧化层 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]