云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 刘倜

刘倜: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文主题：MEMORYCMOS工艺兼容CF薄栅反应离子刻蚀更多>>; 发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

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CF_4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究: 《Journal of Semiconductors》2005年第7期1434-1436,共3页刘倜欧文; 国家重点基础研究专项经费(批准号:G20000365);国家自然科学基金(批准号:60276023)资助项目~~; 嵌入式FlashMemory要求低的工作电压.采用反应离子刻蚀技术,用CF4气体在低功率下对硅片做预处理,再热生长薄氧化层,从而在氧化层中引入F,降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低到2.5eV,隧穿电流增加,从而可以在低压下提高FlashMemory的...; 关键词：FLASH MEMORY 漏电流电子势垒 F化隧穿氧化层