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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:韩培德[1] 贾虎生[1] 梁建[1] 鲍慧强[1] 王丽萍[1] 迟美[1] 许并社[1]
机构地区:[1]太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原030024
出 处:《材料热处理学报》2005年第3期76-78,共3页Transactions of Materials and Heat Treatment
基 金:国家 973项目 (2 0 0 4CB2 1 780 8) ;国家自然科学基金项目(90 30 60 1 4 ;50 0 2 51 0 3 ;50 31 1 1 4 0 1 38;2 0 2 71 0 37)
摘 要:使用转移矩阵方法计算了GaN C6 0 多层膜一维光子晶体的带隙结构。计算结果表明,由厚度分别为2 1nm、4 9nm的GaN、C6 0 薄膜组成的多层膜结构,在中心带隙为6 . 4 6eV处有一不完全的光子带隙存在,反射率最高可达6 4 . 3%。The feasibility of using GaN/C60 multilayer films as one-dimensional photonic band gap crystals was investigated by theoretical calculations using a transfer matrix method. The response has been studied both within and out of the periodic plane of GaN/C60, multilayers. It is found that CaN/C60 multilayer films show incomplete PBG behavior in UV region. A fabricated GaN/C60 multilayers with two pairs of 49 nm C60 and 21 nm GaN layers exhibit a high reflectivity of 64.3% at a wavelength of 6.46 eV, and this photonic crystal may be important for achieving materials with an incomplete band gap in UV region.
分 类 号:TN304[电子电信—物理电子学] O734[理学—晶体学]
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