10Gbit/s 0.18μm CMOS激光驱动器的集成电路  

10Gbit/s 0.18μm CMOS laser diode driver IC

作　　者：雷恺[1] 冯军[1] 黄璐[1] 王志功[1] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096

出　　处：《东南大学学报（自然科学版）》2005年第4期510-513,共4页Journal of Southeast University：Natural Science Edition

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2001AA312010).

摘　　要：为了得到低电压、低功耗、高速率的激光驱动器电路,采用0.18μmCMOS工艺设计了10Gbit/s的激光驱动器集成芯片.电路的核心单元为两级直接耦合的差分放大器和电流输出电路.为扩展带宽、降低功耗,电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术,整个芯片面积为0.94mm×1.25mm.经测试,该芯片在1.7V电源电压时,最高可工作在11Gbit/s的速率上;当输入10Gbit/s、单端峰峰值为0.3V的信号时,在50Ω负载上的输出电压摆幅超过1.7V,电路功耗约为77.4mW.进一步优化后,该电路可适用于STM64系统.To get low power consume and high speed, a chip design of laser diode driver circuit using 10 Gbit/s 0. 18 μm CMOS （complementary-metal-oxide-semiconductor） technology is presented. Employing directly-coupled two stages of differential amplifiers, the circuit can amplify the input differential signal amplitude from 0. 3 to 1.7 V on 50Ω load at 10 Gbit/s. The on chip test shows that the highest working speed rate of circuit is 11 Gbit/s, with a total power consumption of about 77.4 mW. The chip size measures 0. 94 mm×1.25 mm. The circuit is suitable to STM-64 system after optimization.

关 键 词：激光驱动器 CMOS 直接耦合 

分 类 号：TN911[电子电信—通信与信息系统]