Pd/a-Ge双层膜中金属诱导晶化引起的分形  

作　　者：张庶元[1] 陈志文[1] 谭舜[1] 李凡庆[1] 卢江[1] 吴自勤[2] 

机构地区：[1]中国科学技术大学结构分析开放研究实验室 [2]中国科学技术大学基础物理中心,合肥230026

出　　处：《科学通报》1995年第10期880-884,共5页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：目前,分形的研究已成为国内外普遍关注的问题.对于金属/半导体二元薄膜体系,在金属诱导非晶半导体晶化的过程中,常常出现雪花状的分形结构.见诸文献的有关报道,多为没有化合物生成的金属、半导体共晶系统,例如Au/a-Ge(Si),Ag/a-Ge(Si)和Al/a-Ge(Si)等等.对于有化合物生成的金属/半导体薄膜体系,这种研究报道很少.段建中等曾在Pd/a-Si中发现了分形,分形出现的同时有多种硅化物产生.对于分形形成的机制,已建立了若干模型,其中扩散限制聚集(DLA)模型是很成功的,但DLA模型难以解释金属/半导体二元薄膜体系中分形的成因.吴自勤教授等根据薄膜体系中分形晶化的微观结构观测,提出了由温度场控制的随机逐次成核(RSN)模型,在解释薄膜的分形晶化时十分令人满意.

关 键 词：分形 晶化 钯 半导体 双层膜 锗 

分 类 号：TN304.11[电子电信—物理电子学] O471.4[理学—半导体物理]