超晶格共振Raman谱Fano线形的理论和实验研究  

作　　者：潘少华[1] 陈正豪[1] 金奎娟[1] 黄绮[1] 赵铁男[1] 刘竞青 杨国桢[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《科学通报》1995年第12期1090-1092,共3页Chinese Science Bulletin

摘　　要：物理系统中当一个分立激发态能级与连续激发态能级连续统相重叠时,会出现量子干涉使其光谱呈非对称性,称Fano线形.近年由于将此种线形与无粒子数反转激光概念相联系而引起普遍关注.半导体超晶格具有人工“剪裁”能带的功能,因此通过对材料和结构参数的适当设计,可使导带的子带内(intrasubband)电子共振Raman跃迁的能量连续统与Raman声子能量相重叠,不难观察到由Fano干涉而导致的Raman谱非对称线形.本文报道我们的有关理论和实验.

关 键 词：Fano线形 半导体 超晶格 散射谱 

分 类 号：O471.4[理学—半导体物理]