Si/SiO_2异质界面的超精细硅量子线  

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作  者:施毅[1] 刘建林[1] 汪峰[1] 张荣[1] 韩平[1] 朱顺明[1] 郑有斗[1] 茅保华[2] 

机构地区:[1]南京大学物理系,南京210093 [2]南京电子器件研究所,南京210016

出  处:《科学通报》1995年第18期1727-1728,共2页Chinese Science Bulletin

摘  要:作为半导体科学技术研究前沿领域的硅低维量子结构,它无论在低维物理基础研究,还是在技术应用上,都具有十分重要的意义.硅量子线作为纳米电子学的基础,将发展实现特大规模集成电路和开拓新一代硅量子效应的器件;同时,这种人工设计的一维微结构材料的能带结构不同于天然硅材料,可望获得高的发光效率,用于发展硅基集成光电子技术.

关 键 词: 二氧化硅 异质界面 硅量子线 

分 类 号:O484.1[理学—固体物理]

 

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